近期，我院先进合金科研团队的陈洪祥教授为第一作者及通讯作者，温小椿老师为共同通讯作者，硕士研究生李世玉为第二作者，联合中国科学院兰州化物所张永胜研究员和樊恒中研究员，在高熵层状金属陶瓷的新材料探索与热电性能研究方面取得突破性进展，相关成果发表于著名材料类期刊《Acta Materialia》。论文标题为“High-entropy trace intercalation in layered semiconductors Synergistically optimized thermoelectric performance via entropy-driven transport decoupling”, (Doi:10.1016/j.actamat.2026.121984.)。

本工作通过高熵微量插层的新方法，将多组分金属原子插入层状半导体TiS₂中，成功实现热电性能的显著提升。研究显示，优化后的材料在723 K时热电优值（zT）达到约0.7，超越传统单元素插层的性能极限。该工作通过熵工程诱导显著的晶格无序与非谐性，显著降低晶格热导率；同时借助插层引起的电荷转移与能带重整化，提升电输运性能，从而成功实现热电输运解耦。这一工作为层状热电材料的设计提供了新的思路，展现了我院在功能材料前沿研究方面的创新能力与学术影响力。

层状半导体中的高熵微量插层：熵驱动输运解耦协同优化热电性能